Any solid material with electrical conductivity due to electron flow (as opposed to ionic conductivity) of a magnitude between that of a conductor and that of an insulator.
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日本标准为主要/次要平的长度。
轰炸的固体 （目标） 的高能化学惰性离子 （如 Ar +） ；从目标，然后无故意靠近目标 ； 基板的表面上会导致弹出的原子金属和氧化物的物理气相沉积法的常用方法。 ...
半导体表面的平坦的中断;作为最高与最深的表面特征之间的差测量;可低至0。ggggg06nm或高品质的硅片与外延层。
通过外延沉积在蓝宝石衬底（绝缘体）上形成有源Si层的SOI的特例;由于Si和蓝宝石之间的轻微晶格失配，大于临界厚度的Si外延层具有高缺陷密度。 ...
过程关于在单晶半导体表面上中断水晶结构顺序，通常由干蚀刻之间的高能量离子和离子植入互相影响而产生的。
最大的晶片厚度的变化。总厚度变化通常是由测量的晶片在5位置交叉模式(非晶片边缘太近),计算最大测量厚度的差异。
指使用高能化学惰性离子（如氩）轰击固体（目标）。将原子从目标物射出来，然后再将原子重新沉积在目标物附近的底物表面。溅射是金属和氧化物物理汽相沉积的常用方法。 ...
